网传中国已悄悄攻克首台EUV光刻机技术，系通过逆向工程ASML设备实现

12月19日有消息称，光刻机，或许是中国在高科技领域需要攻克的最后一道关键难关了！

据外媒消息，中国有一家秘密实验室已悄悄组装出首台EUV极紫外光刻系统原型机，该原型机是通过对ASML现有光刻机产品进行逆向工程得到的，目前正处于秘密测试阶段，计划在2028年试产原型芯片。

如果消息属实，无疑是中国的一次飞跃式突破，短短数年就掌握了原本需要数十年的技术。

消息称，这一EUV光刻机原型是2025年初在深圳一处安保严密的设施内组装完成的，几乎覆盖了整个厂房。

它既未运用清华大学研发的基于粒子加速器的稳态微聚束（SSMB）技术，也未采用哈尔滨工业大学开发的放电等离子体（DPP）技术，而是采用了与ASML Twinscan NXE系列光刻机相同的激光等离子体（LPP）技术，能够产生波长为13.5纳米的极紫外光。

外媒称，这说明它使用了逆向工程手段，至少整合了大量由ASML首创的核心技术。

ASML LPP技术原理如下：

首先将直径约25-30微米的熔融锡液滴，以每秒约5万个的速度，注入真空腔体内。

随后，一台高功率二氧化碳激光器，向每个液滴发射一束低强度预脉冲激光，将液滴压平成圆盘状。

紧接着再发射一束能量更强的主脉冲激光，将被压平的锡靶汽化，形成温度超过20万摄氏度的超高温等离子体。

这种等离子体能够释放出各向同性的极紫外光，接着被大型多层膜收集镜捕获，再输送至光刻机的反射光学系统，最后实现对硅晶圆的光刻成像。

这一过程每秒可重复数万次。

报道指出，中国版EUV光刻机的体积显著大于ASML同类产品，但已经具备极紫外光的生成能力，只是尚未能制造出可用芯片。

关键瓶颈在于，中国仍无法复刻出ASML的高精度光学系统，甚至无法将极紫外光精准投射到晶圆上，更谈不上完成光刻成像。

同时，极紫外光源的功率指标也不清楚，这是决定光刻机能否实现量产的核心参数。

另外，超高精度收集镜系统、照明光学系统、投影光学系统、晶圆存储系统、晶圆台、掩模台等光刻机核心部件的研发进度，目前也都处于未知状态。

报道指出，中国EUV光刻机的研发团队成员包括前ASML工程师与应届大学毕业生，团队不仅延揽了ASML中国分公司的前员工，还吸纳了ASML在美国、欧洲以及中国台湾地区的前雇员。

例如，曾主导ASML EUV光源技术研发的林楠，如今在中科院上海光学精密机械研究所牵头团队进行相关研究，仅用18个月便提交了8项EUV领域的专利申请。

报道还强调，为了保密，团队普遍都是用了假身份。

据说团队的规划是希望能在2028年，也就是未来两三年内，产出首批芯片原型，但外媒认为2030年才是更现实的时间节点。

需要明确的是，高端光刻机的研发，离不开精密光源、先进光学、超高精度机械、复杂控制软件、特种材料等多个领域技术的深度集成，而且所有系统都必须在纳米级公差范围内稳定、长期运行。

EUV光刻机的构造尤为复杂，由十万多个零部件组成，想要对它进行逆向复刻，难度极大，即便有数百名专业工程师共同钻研，也未必能取得成功。

ASML在看到报道后也声明称：“想要复刻我们的技术，这一想法可以理解，但真正付诸实践绝非易事。”

综合来看，外媒的报道往往存在大量误导甚至错误信息，大家看看就好。