台积电核心技术不会外流至美国：需落后两代方可出海

12月18日消息，原本无意在美国投资建厂的台积电，近年来在美国的压力下持续加大投资力度，其最新承诺的投资金额为1650亿美元，不过美国方面近期又暗示该投资规模需提升至2000亿美元以上。

对台积电而言，既要向美国进行巨额投资，还得把先进工艺转移至美国工厂，其一期工厂原本计划生产5nm芯片，在去年年底落成后已调整为4nm工艺。

正在建设的二期工厂预计将投产3nm工艺，后续投资计划里，2nm至1.4nm工艺的芯片正逐步转移到美国进行生产。

台积电如此积极地将产能转移至美国，难道不担心技术泄密的风险吗？这同样是外界最为关注的问题之一。对此，台积电此前已多次作出表态以回应质疑，强调最先进的工艺仍将保留在总部基地进行生产。

目前已有主管部门对外释放信号，明确表示关键技术将受到管制，相关参与人员也会被纳入管制范围。台积电计划后续推进1.4nm工艺研发，该工艺需满足N-2规则要求后，方可进行海外布局。

N-2指的是台积电若要把工艺转移到海外基地生产，该海外基地的工艺需比其本土工艺落后两代。举例来说，假设台积电本土目前最先进的量产工艺是2nm（N2），那么海外基地生产的工艺就会是5nm级别（N5），这中间还隔着3nm工艺，相当于落后了两代。

台积电在1.4nm（A14）工艺实现量产之后，并不会紧接着在美国投产2nm工艺，两者之间还会先推出1.6nm（A16）工艺这一过渡节点。