为实现利润最大化，三星拟缩减HBM3E产能，转而扩大1bnm制程的生产规模

12月3日消息，据媒体报道，三星正考虑调整DRAM制造策略，拟将原本用于生产HBM3E内存的1a nm制程通用DRAM产能削减30%到40%。

随后，三星将借助制程转换，扩充适用于DDR5、LPDDR5x等标准内存产品的1b nm制程产能，从而达成整体获利的最大化。

受AI需求爆发、HBM抢占核心产能以及短期内扩产幅度有限等因素影响，DDR5、LPDDR5x和GDDR7等通用内存产品的价格近期出现了快速飙升的情况。

对于三星来说，如今1b nm制程的产能在盈利表现上，已经超过了业界传统观念里因HBM价格高昂而被认为更具收益优势的1a nm制程。

尽管三星最终成功跻身NVIDIA的HBM3E供应商行列，可其供货量较为有限，而且三星HBM3E的平均售价原本就比竞争对手SK海力士低百分之三十。

综合这些因素，业内人士分析指出，若三星把1a nm制程中30%到40%的产能，连同1z nm这类相对成熟制程的产能，一同调整至1b nm制程，那么1b nm制程的月度投片量预计能额外增加8万片晶圆，这无疑会对三星的整体盈利状况起到显著的助推作用。